IGBT芯片概念股有哪些?IGBT芯片概念是什么意思?IGBT芯片概念股一览

  中国电动汽车百人会第六届年度论坛在京召开。全国政协副主席、中国科学技术协会主席万钢在论坛上强调,面向未来,要加快新一代的驱动控制技术升级,特别是高密度的IGBT和碳化硅器件方面是今后升级发展的方向。

  根据集邦咨询《2019中国IGBT产业发展及市场报告》,2016年,国内IGBT市场规模达105.4亿元。2017年中国IGBT市场规模预计为128亿人民币,2018年中国IGBT市场规模预计为153亿人民币,相较2017年同比增长19.91%。受益于新能源汽车和工业领域的需求大幅增加,中国IGBT市场规模仍将持续增长,到2025年,中国IGBT市场规模将达到522亿人民币,年复合增长率达19.11%。总体来看,目前国内IGBT产业处在快速发展阶段,已经形成了相对完整的IGBT产业链。

  未来随着国内新能源车的放量,中国IGBT企业将迎来快速发展及进口替代的良好机遇,相关概念股有扬杰科技(300373)、华微电子(600360)等。  目前我国正处于一个IGBT产业的突破前夜。因为IGBT广泛应用于高铁、节能变频、风电、太阳能等产业中,但IGBT的核心技术与产业主要掌握在发达国家相关企业手中。而近年来,我国受高铁等领域的投资规模提振,IGBT的国产化要求迅速提升。幸运的是,目前已有突破的态势。IGBT概念股包括科达股份、钱江摩托、华微电子、中环股份、长电科技、台基股份等。

  IGBT芯片概念是什么意思?什么是IGBT芯片概念?什么是IGBT芯片?

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

  IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;

  IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;

  IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

  1979年,MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成),其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。

  80年代初期,用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候,硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)型设计。后来,通过采用PT(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进,这是随着硅片上外延的技术进步,以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中,这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构,其设计规则从5微米先进到3微米。

  90年代中期,沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT,它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺,但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中,实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。

  硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变,先是采用非穿通(NPT)结构,继而变化成弱穿通(LPT)结构,这就使安全工作区(SOA)得到同表面栅结构演变类似的改善。

  这次从穿通(PT)型技术先进到非穿通(NPT)型技术,是最基本的,也是很重大的概念变化。这就是:穿通(PT)技术会有比较高的载流子注入系数,而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面,非穿通(NPT)技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率,不过其载流子注入系数却比较低。进而言之,非穿通(NPT)技术又被软穿通(LPT)技术所代替,它类似于某些人所谓的“软穿通”(SPT)或“电场截止”(FS)型技术,这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。

  1996年,CSTBT(载流子储存的沟槽栅双极晶体管)使第5代IGBT模块得以实现[6],它采用了弱穿通(LPT)芯片结构,又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前,包括一种“反向阻断型”(逆阻型)功能或一种“反向导通型”(逆导型)功能的IGBT器件的新概念正在进行研究,以求得进一步优化。

  IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大降低电路接线电感,提高系统效率,现已开发成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。

  现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。

  目前我国正处于一个IGBT产业的突破前夜。因为IGBT广泛应用于高铁、节能变频、风电、太阳能等产业中,但IGBT的核心技术与产业主要掌握在发达国家相关企业手中。而近年来,我国受高铁等领域的投资规模提振,IGBT的国产化要求迅速提升。幸运的是,目前已有突破的态势。IGBT概念股包括科达股份、钱江摩托、华微电子、中环股份、长电科技、台基股份等。

  IGBT芯片概念股的龙头股最有可能是哪几只?

  IGBT芯片概念股的龙头股最有可能从以下几个股票中诞生 华微电子、 士兰微、 台基股份。

  IGBT芯片概念上市公司一共有多少家?

  IGBT芯片概念一共有9家上市公司,其中5家IGBT芯片概念上市公司在上证交易所交易,另外4家IGBT芯片概念上市公司在深交所交易。

  IGBT芯片概念股有哪些?IGBT芯片概念股一览

  华微电子:600360  士 兰 微:600460

  台基股份:300046  长电科技:600584

  中环股份:002129  科达股份:600986

  钱江摩托:000913  汇川技术:300124

  中国中车:601766